技術(shù)編號:6849435
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明為半導體裝置領(lǐng)域的發(fā)明,特別是關(guān)于半導體熔絲,具體為一種以小讀取電流偵測電子式熔絲狀態(tài)的小型電路。背景技術(shù) 在半導體電路中,熔絲因應各種需求而被使用。舉例來說,存儲器中的電路就是使用熔絲來實現(xiàn)存儲冗余(memoryredundancy)。關(guān)于熔絲可程序化的討論和實例都已在下列專利中揭露U.S.Pat.NO.6,498,526“熔絲電路及其熔絲狀態(tài)偵測方法”、U.S.Pat.NO.4,446,534“可程序化熔絲電路”以及U.S.Pat.NO.5,95...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。