技術編號：6849105
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于微電子，涉及半導體材料的處理，具體地說是一種III-V族化合物材料上原位淀積SiO2和金屬膜的方法。背景技術 自從1957年發(fā)現(xiàn)二氧化硅(SiO2)對某些雜質(zhì)如硼(B)、磷(P)等向硅(Si)中的擴散有掩蔽作用以來，將光刻技術和表面鈍化技術巧妙地結(jié)合起來，就可以生產(chǎn)出各種各樣性能優(yōu)良的平面晶體管和集成電路。事實上，SiO2不僅可作為某些雜質(zhì)擴散的掩蔽物，而且還提供了器件表面的鈍化保護作用、電絕緣作用以及構(gòu)成其間本身的一部分，如在MOS晶體管中的絕...
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