技術(shù)編號：6847646
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及電子器件結(jié)構(gòu)和制造方法，并且尤其涉及通過懸掛(pendeo-)和側(cè)向外延過生長(overgrowth)而實施的第III族元素氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及制造方法。現(xiàn)在還不能得到商用的高性能大塊GaN晶體。因此，一般作為異質(zhì)外延層在下面的非GaN襯底上制造GaN晶體。但不幸的是，GaN與大多數(shù)合適的襯底晶體有較大的晶格錯配度。例如，GaN與藍寶石有15％的晶格錯配度，與碳化硅有3.5％的晶格錯配度。襯底與外延層之間的晶格錯配會導(dǎo)致產(chǎn)生螺(threading)...
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