技術(shù)編號:6846150
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請基于2003年12月5日提交的序列號為60/527,627、題為“使用高溫封裝的高電壓橫向幾何柱狀I(lǐng)II族-氮化物器件(Hi VoltageHorizontal Geometry Column 111-Nitride Devices with HighTemperature Encapsulants)”的美國臨時(shí)申請以及2003年12月5日提交的序列號為60/527,634、題為“GaN器件的歐姆接觸”的美國臨時(shí)申請并要求其優(yōu)先權(quán),在此要求上述兩個(gè)申...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。