技術編號：6846067
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種。背景技術 在半導體工業(yè)中，為了響應封裝或高密度封裝的減薄，通過層疊芯片技術進行半導體晶片的減薄。通過在與圖形形成表面(電路表面)相反的側面中研磨晶片表面的所謂后-表面研磨執(zhí)行減薄。通常，在執(zhí)行后-表面研磨的常規(guī)方法和輸送中，盡管僅僅由后研磨保護帶保持晶片，但是減薄實際上僅僅可以完成至約150μm的厚度，因為研磨之后具有保護帶的晶片被翹曲或研磨處的厚度均勻性低的問題。為了解決這些問題，使用具有高硬度和大厚度(從100至200μm)的聚對苯二甲...
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