技術(shù)編號(hào):6845381
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及薄膜絕緣體上的半導(dǎo)體(SOI)器件,更具體地涉及用于這種器件中的具有橫向隔離金屬區(qū)的場(chǎng)電極,其形成線性橫向電場(chǎng)以消除電場(chǎng)的增強(qiáng)。背景技術(shù) 在絕緣體上的半導(dǎo)體(SOI)器件中使用場(chǎng)電極,以保護(hù)該器件的漂移區(qū)不受封裝和表面電荷的影響,這些影響可由晶片表面上的濕氣或其它帶電容器(containment)引起。場(chǎng)電極通常由金屬材料構(gòu)成,并連接到源區(qū)或柵電極,或者是源區(qū)或柵電極的延伸,如US專利No.6,127,703和5,412,241中所述,在此歸入并...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。