技術(shù)編號(hào):6844701
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及,尤其涉及在形成有多個(gè)器件的晶圓級(jí)封裝中,包括用于實(shí)現(xiàn)晶片的薄型化的背面研磨處理的半導(dǎo)體器件制造方法。而且,下面所述的“半導(dǎo)體器件”,只要沒(méi)有進(jìn)行特別的定義,除了指從晶片上切斷分割下來(lái)的各個(gè)半導(dǎo)體芯片(器件),還指形成在晶片上的處于還未被切斷分割的狀態(tài)下的各個(gè)半導(dǎo)體元件(器件)。背景技術(shù) 近年來(lái),伴隨著電子設(shè)備和裝置的小型化的要求,正在努力實(shí)現(xiàn)其中使用的半導(dǎo)體器件的小型化和高密度化。為此,開(kāi)發(fā)并制造了通過(guò)使半導(dǎo)體器件的形狀充分接近各個(gè)半導(dǎo)體元件(...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
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