技術(shù)編號:6841842
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。交互參照有關(guān)的申請由Roy A.Colclaser和David M.Szmyd并此同時(shí)提出的、名稱為“Improved ESD Diode(改進(jìn)型ESD二極管)”的美國專利申請序列號U.S.Patent no.09/466,401,它轉(zhuǎn)讓予本文件的代理人,所包含的主題內(nèi)容與本專利申請的主題內(nèi)容相關(guān)聯(lián)。本發(fā)明背景本發(fā)明的領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種用于保護(hù)電路抗御靜電放電(ESD)的裝置,更具體地,涉及一種有著減小的結(jié)電容量的ESD二極管。先有技術(shù)的討論附圖說明圖1示...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。