技術編號：6837038
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及微電子領域中一種半導體MOSFET器件結構，具體來說是一種異質金屬堆疊柵SSGOI pMOSFET器件結構。背景技術隨著現代半導體器件的特征長度不斷減小，其發(fā)展越來越受物理極限方面的限制，高速高性能器件的需求也越來越強烈，此時提高載流子遷移率則成為了一個有效的手段。目前通過縮小傳統(tǒng)硅工藝特征尺寸遇到很多阻礙，各種次生物理效應不斷顯現。為了延續(xù)摩爾定律的預測，器件結構的改進以及新材料的引入可能會對器件特性的提高起到重要的推動作用，所以新的材料和結構...
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