技術(shù)編號：6835893
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種制造可變電容二極管的方法以及一種可變電容二極管，更具體地，涉及具有MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)或雙極晶體管并制成集成電路的可變電容二極管。背景技術(shù) 隨著例如移動電話的移動通信設(shè)備尺寸的減小，單芯片技術(shù)已經(jīng)用于包括外圍部件的電路，例如頻率合成器(PLL)和壓控振蕩器。組成半導(dǎo)體襯底上的VCO的可變電容二極管，用于利用pn結(jié)的耗盡層電容，通過施加反向偏壓，來控制電容值。需要集成可變電容二極管，以便得到相對于給定電壓變化的較大電容變化率。參考示出了傳...
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