技術(shù)編號(hào)：6832188
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，以及一種用于在等離子體處理過程中防止對(duì)器件的等離子誘導(dǎo)損害的處理方法。特別是，本發(fā)明涉及一種MOSFET半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，以及一種用于在層間介電層的高密度等離子體沉積過程中防止對(duì)柵極氧化物的等離子誘導(dǎo)損害的處理方法。背景技術(shù) 隨著超大規(guī)模集成電路(ULSI)技術(shù)的不斷進(jìn)步，用于蝕刻和沉積的等離子體處理的應(yīng)用也不斷增加。由于較低的處理溫度，等離子體沉積提供了很好的熱平衡控制，所以等離子體沉積是一種優(yōu)選的處理過程。等離子體沉積和蝕刻...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
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