技術(shù)編號：6831455
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制造方法，特別涉及蝕刻后形成光刻膠殘余物的解決辦法。背景技術(shù) 在半導(dǎo)體器件的制造過程中，離子注入、蝕刻和其他加工步驟中，都要用到光刻膠(Photo Resist；PR)。在離子注入步驟，用光刻膠遮蔽不注入摻雜劑的半導(dǎo)體襯底區(qū)域。蝕刻步驟中，用光刻膠遮蔽不被蝕刻的半導(dǎo)體襯底區(qū)域。另外可用光刻膠作為加工晶片(wafer)的覆蓋防護涂層等。離子注入步驟后，光刻膠變?yōu)楦采w膠狀核心的堅硬外殼，這層外殼導(dǎo)致去除光刻膠困難。蝕刻步驟之后，殘余的光刻...
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