技術(shù)編號(hào)：6830920
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于制造用于半導(dǎo)體基底的裝置的一方法。且特別是有關(guān)于從一半導(dǎo)體基底移除殘余物的一方法。背景技術(shù) 一般而言，微電子裝置，例如集成電路通常被制造于一半導(dǎo)體基底上，其中許多金屬層被互相連接以在該裝置中達(dá)成電子信號(hào)的傳遞。一公知微電子裝置制程包括一等離子體蝕刻制程。在等離子體蝕刻(plasma etch)制程中，包含有一金屬(例如鉭(Ta)、鈦(Ti)等等)的一或多膜層，或是一含金屬化合物(例如氮化鉭(TaN)、氮化鈦(TiN)等等)，將會(huì)部分或完全被移...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。