技術(shù)編號：6830355
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明是關(guān)于應(yīng)用于低電容值高頻電路或類似技術(shù)的積層變阻器的新構(gòu)造。背景技術(shù) 傳統(tǒng)的積層變阻器結(jié)構(gòu)如圖5所示。其結(jié)構(gòu)由至少兩個成對的內(nèi)電極20a和20b以及變阻層21積層而成。而其最外層為陶瓷層22和23以保護該積層結(jié)構(gòu)。內(nèi)電極20a和20b分別導(dǎo)電連接到外電極24和25。變阻層21具有介電常數(shù)。內(nèi)電極20a和20b的末端W部份的表面以變阻層22隔開而彼此面對(請參看日本專利公開公報平5-6806號和平5-6807號)。同樣地，如圖6的傳統(tǒng)積層變阻器，其中具...
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