技術(shù)編號：6830325
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及到采用非易失存儲器的半導(dǎo)體存儲器件、驅(qū)動半導(dǎo)體存儲器件的方法、以及便攜式電子裝置。背景技術(shù) 通常，快速存儲器被典型地用作非易失存儲器。如圖24所示，在快速存儲器中，浮柵902、絕緣膜907、以及字線903(控制柵)按此順序經(jīng)由柵絕緣膜被形成在半導(dǎo)體襯底901上。源線904和位線905由擴(kuò)散區(qū)形成在浮柵902的二側(cè)上，從而構(gòu)成存儲單元。器件隔離區(qū)906被形成在存儲單元周圍(見例如日本未經(jīng)審查的專利公開No.Hei 5-304277(1993))。存...
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