技術(shù)編號(hào)：6830016
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明系一般而言相關(guān)于半導(dǎo)體裝置制造，更特別相關(guān)于半導(dǎo)體裝置中自我對(duì)準(zhǔn)金屬硅化結(jié)構(gòu)(salicide structure)的形成方法。背景技術(shù) 于半導(dǎo)體裝置制造中，常常使用為硅及金屬之摻雜物(alloy)的自我對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物。自我對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物可藉由耐火性金屬或近乎貴金屬與硅的反應(yīng)而加以形成，并且，其可用于各式各樣的應(yīng)用之中。舉例而言，硅化物可以被用于源極/漏極及/或柵極區(qū)域，或者其可用于建立柵極或局部互聯(lián)機(jī)(local interconnect line...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。