技術(shù)編號(hào)：6828812
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。背景技術(shù)本發(fā)明一般涉及材料在半導(dǎo)體片上的化學(xué)汽相沉積，更具體地說(shuō)，涉及一種改進(jìn)的基座，該基座用于在化學(xué)汽相沉積過(guò)程期間，支承在筒形反應(yīng)器反應(yīng)室中的半導(dǎo)體片?；瘜W(xué)汽相沉積是一種用于在半導(dǎo)體片上生長(zhǎng)一薄層材料的方法，那樣它的晶格結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體片的晶格結(jié)構(gòu)相同。采用這種方法，可以將具有不同導(dǎo)電率的一層加到半導(dǎo)體片上，以便達(dá)到所希望的電性能。一般，化學(xué)汽相沉積是通過(guò)將一種包括沉積材料(比如，硅)的反應(yīng)氣體和載氣引入裝有半導(dǎo)體片的筒形反應(yīng)器反應(yīng)室中來(lái)完成的。半導(dǎo)體片在...
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