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技術編號：6824948

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本發(fā)明涉及一種制備隱埋光反射器的硅(Silicon-on-reflectorSOR)和隱埋絕緣層的硅(Silicon-on-insulator SOI)襯底的方法，特別涉及制備帶有隱埋二氧化硅／硅(SiO2／Si)布拉格(Bragg)反射鏡的SOR和SOI襯底的方法。眾所周知，用化學氣相淀積(CVD)或電子束蒸發(fā)的方法在硅襯底上生長二氧化硅／硅(SiO2／Si)布拉格(Bragg)反射鏡，SiO2和Si的厚度可以得到很好的控制，能制作出高反射率的反射器。但...
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