技術(shù)編號：6824792
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請是分案申請，原申請的申請日為1994年2月15日，申請?zhí)枮?4103242.6，發(fā)明名稱為“一種半導(dǎo)體器件及其制造方法”。本發(fā)明涉及一種用于薄膜器件，例如薄膜絕緣柵型場效應(yīng)晶體管(薄膜晶體管或TFT)的晶態(tài)半導(dǎo)體的制造方法。通常，采用使由等離子CVD方法或熱CVD方法形成的非晶硅薄膜在如電爐設(shè)備中，在高于600℃溫度下結(jié)晶化來制造用于像薄膜絕緣柵型場效應(yīng)晶體管(TFT)薄膜器件的晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜。然而，這種常規(guī)方法存在許多問題。最大的問題是極難獲得好的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。