技術(shù)編號：6824277
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件清洗裝置和在化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝之后清洗半導(dǎo)體器件的方法。一般情況下，在制造半導(dǎo)體器件的步驟中經(jīng)常在具有疊層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件表面上形成凸凹不平之處。使用公知的CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)工藝整平具有凸凹不平處的表面。這種拋光工藝一般是在CMP工藝過程中使用含有致密的拋光顆粒(例如硅石顆粒，氧化鋁顆粒)的溶液進(jìn)行的。在CMP工藝之后這些顆粒必需從晶片表面幾乎完全除去以保持電子器件的可靠性和生產(chǎn)線的清潔度。特別是，當(dāng)拋光疏水性膜如氮化硅膜和...
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