技術(shù)編號(hào)：6824252
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般涉及，特別是，本發(fā)明涉及可以有效地減小源或漏擴(kuò)散層的電阻和可以減小每個(gè)存儲(chǔ)單元的尺寸的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，以及制造這種存儲(chǔ)器件的方法，可以減少工藝步驟的數(shù)量以簡化存儲(chǔ)器件的制造工藝。為了減小如閃速存儲(chǔ)器件等半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的位線或源線的擴(kuò)散層的電阻，公知的方法是在擴(kuò)散層上形成金屬層。特別是，關(guān)于具有導(dǎo)體或布線的閃速存儲(chǔ)器件，其中每個(gè)導(dǎo)體或布線由掩埋擴(kuò)散層構(gòu)成，在導(dǎo)體上形成金屬層有三種方法。第一種方法是，在襯底的整個(gè)表面上形成金屬層或金屬化合物層，然后使...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。