技術(shù)編號：6820925
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本實用新型涉及雙極功率開關(guān)晶體管的發(fā)射區(qū)結(jié)構(gòu)的改進，屬于半導(dǎo)體器件。高頻電力電子技術(shù)日益發(fā)展，因而技術(shù)上對開關(guān)速度更快的雙極功率晶體管有了更多的需求。然而，為了保證較大的電流容量，制造n+-p-v-n+型雙極功率晶體管常采用較寬的發(fā)射區(qū)條(一般在150μm以上)。這樣的設(shè)計，往往因晶體管的基區(qū)橫向電阻大而顯著地影響晶體管的開關(guān)時間，尤其是關(guān)斷時間(包括下降時間和存儲時間)；同時使晶體管易發(fā)生反偏二次擊穿，惡化晶體管的熱電穩(wěn)定性。這是因為，開關(guān)應(yīng)用的晶體管在...
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