技術編號：6820233
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及，更詳細地說，涉及在半導體襯底上形成的絕緣膜中形成開口并在開口內(nèi)部充填導電體來形成電極的半導體集成電路裝置及其制造方法。隨著半導體集成電路的高集成化，內(nèi)部布線的線寬度及連接口的尺寸縮小。為了利用光刻技術以高精度形成抗蝕劑圖形，在使層間絕緣膜表面的臺階差變得平坦化的同時，將導電體充填到具有小的開口直徑的連接口的內(nèi)部來形成金屬栓等，在這些方面想了很多辦法。作為將導電體充填到層間絕緣膜中形成的連接口的內(nèi)部的方法，迄今為止廣泛地使用了在晶片整個面上形成了...
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