技術(shù)編號：6820003
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及制造電容器的方法，更具體的涉及制造具有高介電常數(shù)的介質(zhì)層(高介質(zhì)層)的電容器的方法。隨著動態(tài)隨機(jī)存取存儲器半導(dǎo)體器件的集成度的增加，用作電容器的區(qū)域減小至限定的單元面積，采用諸如氧化層和氮化層作為介質(zhì)層難于獲得為半導(dǎo)體器件工作所需的電容量。為了增加電容量，已經(jīng)提出了以三維結(jié)構(gòu)制備電容器的存儲電極的方法。然而，即使采用了三維存儲電極，利用常規(guī)介質(zhì)層仍然難于獲得高集成半導(dǎo)體器件所需的電容量。為解決上述問題，對半導(dǎo)體器件電容器已提出采用高介質(zhì)層，例如(...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。