技術編號：6815256
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及干式蝕刻器的殘留氣體去除裝置及去除方法。更詳細地說，涉及的是為了防止半導體制造工藝中用于蝕刻處理的反應氣體，在工序過程中殘留在晶片的表面并在空氣中冷凝，不進行其它的后處理即可除去反應氣體的、。以前，使用于半導體元件制造工藝的蝕刻器，能夠對在感光膜的顯影工序結束后生長或蒸鍍在感光膜下面的薄膜，例如Si膜、多晶硅膜、SiO2膜等按照工序的要求進行有選擇地去除。眾所周知，如此的蝕刻方法大致分為利用氣體的化學反應的干式蝕刻和浸在化學藥品中將規(guī)定的部分溶解...
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