技術編號：6814645
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及。更具體地說，本發(fā)明涉及制造在半導體襯底上帶有電容器的半導體器件的方法。近年來，對高密度和高速的低功耗半導體器件一直存在需求。這種常規(guī)半導體器件的一個代表是墻發(fā)射極式(Walled-emitter type)NPN雙極晶體管。在NPN雙極晶體管結(jié)構(gòu)中，發(fā)射極區(qū)域由隔離膜環(huán)繞以使至少有一部分發(fā)射區(qū)與隔離膜周邊接觸。這種結(jié)構(gòu)不僅可降低發(fā)射極與基極間的結(jié)電容，而且由于其發(fā)射極和基極自對準形式使晶體管小型化，還能滿足對晶體管的高速、高密度和低功耗要求。日...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。