技術(shù)編號：6811918
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種一部分具有具一定高度的組件另一部分無該組件的半導(dǎo)體器件，以及這種半導(dǎo)體器件的制造方法，更具體地說，涉及一種層間絕緣膜在表面構(gòu)形方面的結(jié)構(gòu)，和這種層間絕緣膜的制造方法。我們所知道的一部分具有具一定高度的組件另一部分無該組件的半導(dǎo)體器件的一個例子是以電容器堆作為存儲單元的動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)。DRAM器件有這樣的問題，即每個存儲單元的電容隨著器件集成度的增加和組件體積的減小而減小。解決這類問題的方法通常是提高各電容器下電極的高度，從而擴(kuò)...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。