技術(shù)編號：6811672
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)，主要是指在不增加光罩次數(shù)的情況下，可對晶圓的特定位置上作選擇性局部氧化處理，進(jìn)而可分別控制晶圓內(nèi)金屬閘極區(qū)、P+區(qū)、及N+區(qū)上氧化層厚度的金屬閘金屬氧化物半導(dǎo)體的制造方法。近半世紀(jì)以來，半導(dǎo)體工業(yè)發(fā)展迅速，其廣泛應(yīng)用主導(dǎo)了世界產(chǎn)業(yè)的走向。只是其工業(yè)特色在於需在生產(chǎn)設(shè)備上投注龐大的資金，而產(chǎn)品的壽命卻還低于其它工業(yè)產(chǎn)品，故如何能在生產(chǎn)制造方法上節(jié)省成本支出，又能在半導(dǎo)體晶圓上作最有效率的規(guī)劃，是從事半導(dǎo)體業(yè)者努力追求的最高目標(biāo)。金屬閘金屬氧化物...
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