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閾值電壓穩(wěn)定的場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制造方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):6811511

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本發(fā)明涉及到場(chǎng)效應(yīng)晶體管,具體涉及低閾值電壓和提高穿通電阻的短溝道長(zhǎng)度場(chǎng)效應(yīng)晶體管。在包括個(gè)人通信(例如尋呼機(jī)、蜂窩電話等)和便攜式計(jì)算機(jī)的低電壓功率應(yīng)用中,場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)器件已越來(lái)越重要。由于低功耗是這些應(yīng)用的主要要求,及FET器件都是設(shè)計(jì)成在小于3.5V的電源電壓下工作。但諸如閾值電壓、亞閾值漏電流、源漏寄生電容和源漏穿通之類(lèi)的半導(dǎo)體器件參數(shù)通常限制了低功率半導(dǎo)體器件的性能。當(dāng)源和漏的耗盡區(qū)匯合時(shí),通常發(fā)生源到漏的穿通。當(dāng)這種情況出現(xiàn)時(shí),柵區(qū)就...
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