技術(shù)編號：6810779
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般地涉及半導(dǎo)體器件處理，并且，更具體地涉及使用犧牲的注入層形成非無定形超薄半導(dǎo)體器件的方法。背景技術(shù) 在硅襯底內(nèi)形成超淺p+和n+摻雜區(qū)是在集成電路內(nèi)使用的金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管及其他半導(dǎo)體器件的制造中的決定性步驟。MOS晶體管不斷減少的尺寸要求晶體管的所有橫向和垂直尺寸都縮減。在傳統(tǒng)的按比例縮放方案中，結(jié)的深度與柵長度線性地按比例縮放，該結(jié)形成MOS晶體管的源和漏區(qū)。因此，在目前的半導(dǎo)體制造業(yè)中需要具有適當(dāng)?shù)氐捅砻骐娮璧膒+和n+區(qū)的淺...
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