技術(shù)編號(hào)：6807680
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種在絕緣體上拉應(yīng)變硅層結(jié)構(gòu)及其制造方法。本發(fā)明也教導(dǎo)了包括在絕緣體上的應(yīng)變硅層的系統(tǒng)。此外，本發(fā)明還涉及改變薄的結(jié)晶層的應(yīng)變狀態(tài)的方法。背景技術(shù) 如今的集成電路包括大量的器件。更小的器件是增強(qiáng)性能和改善可靠性的關(guān)鍵。然而，由于MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，一個(gè)歷史意義的名字一般意指絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管)器件規(guī)模小，技術(shù)變得更加復(fù)雜，需要對(duì)器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行改變和新的制造方法以從器件的一代到下一代維持預(yù)定的性能增強(qiáng)。關(guān)于最近進(jìn)展的半導(dǎo)體器件...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。