技術編號：6805987
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。背景技術為了提供介電常數(shù)比氧化硅介電常數(shù)低的介電膜，以硅氧烷為基礎的樹脂制成的介電膜成為廣泛使用的材料。以硅氧烷為基礎的樹脂形成的這一類膜中之一是由氫倍半硅氧烷(HSQ)樹脂制成的膜，見美國專利US-3615272(公開日期1971年10月19日，授與Collins等人)和1988年6月12日公開的授于Haluska等人的美國專利US-4756977。這種膜不僅介電常數(shù)小于CVD或PECVD氧化硅膜的介電常數(shù)，而且還有有利間隙填充和增大表面平整度的好處。發(fā)...
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