技術(shù)編號(hào)：6805740
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及包括磷化硼基化合物半導(dǎo)體層的磷化硼基化合物半導(dǎo)體器件，所述層在室溫下具有寬帶隙，本發(fā)明還涉及其制造方法以及發(fā)光二極管。背景技術(shù) III族氮化物半導(dǎo)體，如氮化鎵(GaN)通常被用于制造氮化物半導(dǎo)體器件，例如發(fā)光二極管(LED)或激光二極管(LD)(參見例如非專利文獻(xiàn)1)。III族氮化物半導(dǎo)體已知在室溫下具有較寬的帶隙，并且例如，具有六角纖維鋅礦(hexagonal wurtzite)結(jié)構(gòu)的氮化鎵和氮化鋁(AlN)的室溫帶隙分別達(dá)到3.4eV和5.9...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。