技術(shù)編號(hào)：6800022
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種MOS型硅半導(dǎo)體三維磁矢敏感器及其制造方法，屬于微電子學(xué)和半導(dǎo)體集成傳感器領(lǐng)域。近幾年來，由于磁體材料或其他磁源的磁力線空間分布測(cè)量、地磁測(cè)量、和制造接近式開關(guān)、無觸點(diǎn)角位置編碼器之類測(cè)量儀器等的需要，出現(xiàn)了一些能探測(cè)磁感應(yīng)強(qiáng)度 的三維磁矢分量( X、 Y、 Z)的三維磁矢敏感器。已有的三維磁矢敏感器僅有兩種結(jié)構(gòu)其一是S。Kordic等提出的雙極型NPN-三維磁敏晶體管，見S。Kordie，“Integrated 3D Magnetic Se...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。