技術(shù)編號：6798927
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及用于太陽能電池和其他電子應(yīng)用中硅薄膜的制造，薄膜硅太陽能電池的制造，尤其涉及提供制造這類電池的一種改進(jìn)方法。和目前商業(yè)實用中主要使用厚的自支座晶片或多晶片相對比，在支座層上以薄膜形式制造硅太陽能電池具有顯著的優(yōu)點。為了消費上的應(yīng)用，例如用于電視屏幕的液晶顯示器，在大面積上沉積電子質(zhì)量級的硅越來越令人感興趣。這類沉積技術(shù)之一是先把硅溶于熔融金屬中，使熔體被硅所飽和，然后冷卻。冷卻過程中可使溶在熔體中硅的量減少。過量部分就可以按控制的速度在基片上沉積...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。