技術(shù)編號：6789769
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種具有 P 浮空層電流栓的 RC-1GBT (reverse-conducting insulated-gatebipolar transistor,反向?qū)ń^緣柵雙極型晶體管),屬于半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域。背景技術(shù)IGBT (Insulate Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)既有 MOSFET的輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動電路簡單、開關(guān)速度高的優(yōu)點，又具有雙極型功率晶體管的電流密度大、飽和壓降低、電流處理能力強(qiáng)的優(yōu)點，所...
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