技術(shù)編號：6784759
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體器件的制造工藝方法，特別是涉及。背景技術(shù) 現(xiàn)有的柵氧化工藝流程在0.25-0.18um的柵氧化工藝中，通常通入一氧化二氮(N2O)或一氧化氮(NO)氣體，讓氮元素擴散進入柵氧化層。這樣做的目的有兩個1.多晶中的硼元素穿透柵氧化進入溝道。2.改善熱載流子HCI(熱載流子注入效應)試驗的表現(xiàn)。氮元素進入柵氧化層，會增加柵氧化層中TRAP(電離陷阱)的濃度，如果TRAP濃度在硅/二氧化硅的界面達到一定程度，會影響器件的噪聲表現(xiàn)。某些RF(radi...
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