技術(shù)編號：6784461
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種其存儲單元具有磁阻存儲效應(yīng)的集成存儲器，所述的存儲單元分別被連接在多個(gè)列線中的一個(gè)與多個(gè)行線中的一個(gè)之間。為了存儲數(shù)據(jù)信號，具有磁阻存儲效應(yīng)的存儲單元通常都具有狀態(tài)可變的鐵磁層。該存儲效應(yīng)通常以所謂的GMR(巨磁阻)效應(yīng)或TMR(隧道磁阻)效應(yīng)而為大家所公知。在此，這類存儲單元的電阻取決于所述鐵磁層中的磁化。具有這類存儲單元的存儲器也被稱為所謂的MRAM存儲器，其構(gòu)造經(jīng)常類似于譬如DRAM型集成存儲器。這類存儲器通常為如下存儲單元布置，即該布...
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