技術(shù)編號：6781901
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路制造器件的工藝方法，具體涉及一種非揮發(fā)性快速存儲器的工藝方法，尤其涉及一種利用溝道熱電子實現(xiàn)SONOS(以氮化硅作為電荷存儲介質(zhì)的器件)非揮發(fā)性快速存儲器存儲單元寫操作的方法。背景技術(shù)在對SONOS cell (硅氧氮氧硅)進(jìn)行擦寫操作的時候，目前業(yè)界采用溝道F/N遂穿的方式來對存儲單元進(jìn)行擦寫，來實現(xiàn)對存儲單元的存儲位元控制。這種方法的優(yōu)點是功耗小，缺點是速度很慢。 如圖1所示，現(xiàn)有的采用溝道F/N遂穿的方式對存儲單元進(jìn)行擦寫...
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