技術(shù)編號(hào)：6778223
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種存儲(chǔ)元件，該存儲(chǔ)元件由存儲(chǔ)層和磁化固定層構(gòu)成，其中，存儲(chǔ)層可以存儲(chǔ)鐵磁性層的磁化狀態(tài)作為信息，磁化固定層具有固定的磁化方向，在該存儲(chǔ)元件中，使電流沿垂直于膜表面的方向流動(dòng)，以注入自旋極化電子，從而改變存儲(chǔ)層的磁化方向；本發(fā)明還涉及一種包括存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)器，該存儲(chǔ)器適合用作非易失性存儲(chǔ)器(non-volatile memory)。背景技術(shù) 高速和高密度的DRAM已廣泛用作諸如計(jì)算機(jī)的信息設(shè)備中的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。然而，由于DRAM是易失性存儲(chǔ)器(...
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