技術(shù)編號(hào)：6775083
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及存儲(chǔ)元件和包括該存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)器，該存儲(chǔ)元件包括用于將磁化狀態(tài)存儲(chǔ)作為信息的存儲(chǔ)層和其磁化方向被釘扎的被釘扎磁層，存儲(chǔ)層的磁化方向通過(guò)施加電流而改變。本發(fā)明適用于非易失性存儲(chǔ)器。背景技術(shù) 在諸如計(jì)算機(jī)的信息裝置中，高速運(yùn)行且具有高密度的DRAM已經(jīng)廣泛用作隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。然而，DRAM是易失性存儲(chǔ)器，當(dāng)斷開(kāi)電源時(shí)其丟失所存儲(chǔ)的信息。因此，需要即使斷開(kāi)電源也不會(huì)丟失所存儲(chǔ)信息的非易失性存儲(chǔ)器。作為有前景的非易失性存儲(chǔ)器，利用磁材料的磁化記錄信息的磁...
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