技術(shù)編號：6772180
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的實(shí)施方式總體涉及。背景技術(shù)在半導(dǎo)體存儲裝置之中的例如NAND型閃存中，具備存儲單元的電流路徑被多個(gè)串聯(lián)連接起來的NAND單元組。在數(shù)據(jù)寫入工作吋，通過對NAND單元組的非選擇單元施加寫入通過(pass)電壓 而形成通道，通過對選擇單元施加寫入電壓(VPGM)而對選擇單元寫入預(yù)定的閾值。然而，依向上述非選擇單元施加的寫入通過電壓(VPASS)的大小以及時(shí)間，寫入壓カ増大，存在可能成為寫入不良的發(fā)生原因的傾向。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的實(shí)施方式提供有利于寫入不良...
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