技術編號：6771207
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于存儲器，尤其涉及一種高密度電阻型隨機存儲單元。 背景技術電阻型隨機存儲器RRAM具有高速、低功耗、高密度以及與CMOS工藝兼容的優(yōu)點， 在性能、成本、速度上有很大的優(yōu)越性，其綜合性能指標在新型非易失存儲技術中居于前列。電阻型隨機存儲器RRAM是指存儲材料可以在不同的電信號作用下，可逆地在高阻和低阻間轉(zhuǎn)換，以實現(xiàn)信號的存儲。具有電阻轉(zhuǎn)換特性的材料有很多種，包括二元和多元金屬氧化物、摻雜的鐵電材料甚至有機材料等。電阻型隨機存儲器RRAM的獨立式應用要...
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