技術(shù)編號：6766682
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供一每單元多比特存儲裝置，該裝置包括存儲單元陣列、行地址譯碼模塊、列地址譯碼模塊、讀寫控制模塊、多條第一字線和多條第一位線。本發(fā)明采用了具有內(nèi)嵌隧穿場效應(yīng)管的半浮柵晶體管作為存儲單元進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲，一方面利用隧穿二極管的帶-帶隧穿特性可以實現(xiàn)較快速度的寫操作，另一方面通過對晶體管閾值電壓的分段控制，實現(xiàn)了每單元多比特的存儲。專利說明每單元多比特存儲裝置[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，特別是涉及一每單元多比特存儲裝置。背景技術(shù)[0002]隨機(jī)存儲...
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