技術(shù)編號(hào)：6766477
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本文描述了一種非易失性存儲(chǔ)器架構(gòu)，其具有為存儲(chǔ)系統(tǒng)提供低寫(xiě)放大的寫(xiě)和重寫(xiě)能力。通過(guò)示例的方式公開(kāi)了一種存儲(chǔ)器陣列，其包括雙端存儲(chǔ)單元塊和子塊。該雙端存儲(chǔ)單元可被直接重寫(xiě)。在一些實(shí)施方式中促進(jìn)了低至1的寫(xiě)放大值。此外，存儲(chǔ)器陣列可具有輸入輸出復(fù)用器配置，從而降低了存儲(chǔ)操作期間存儲(chǔ)器架構(gòu)的潛通路電流。專(zhuān)利說(shuō)明具有重寫(xiě)能力和低寫(xiě)放大的非易失性存儲(chǔ)器[0001] 相關(guān)申請(qǐng)案的交叉引用[0002] 本專(zhuān)利申請(qǐng)主張2013年3月14日遞交的美國(guó)臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?1/78...
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