技術編號：6763597
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及具有至少一只磁致電阻元件的存儲單元裝置及其制法。作為也稱為磁電阻元件的磁致電阻元件在學術界理解為至少具有兩鐵磁層和其間安排的非磁性層的結構。這里各按層結構的建立，區(qū)分GMR元件、TMR元件和CMR元件(參閱S.Mengel，“工藝分析磁學”，卷2，XMR-工藝，出版者VDI技術中心物理工藝，1997年8月)。GMR元件的概念用于具有至少兩鐵磁層和其間安排的非磁導電層并顯示所謂GMR(大磁致電阻)效應的層結構。GMR效應理解為這樣的事實，即GMR元...
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