技術(shù)編號：6760361
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及易失性半導(dǎo)體存儲器，并且更具體地，涉及具有為故障存儲單元增強(qiáng)冗余度的易失性半導(dǎo)體存儲器。背景技術(shù) 近年來，諸如動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)的易失性半導(dǎo)體存儲器被廣泛用作集成在移動電話等中的存儲器。隨著近來設(shè)備中所處理數(shù)據(jù)量的增大，存儲容量也由此增大了。大容量存儲器包括大量存儲單元，并且每個器件需要保持滿足規(guī)范的性能。然而，由于存儲單元中生產(chǎn)工藝的改變、半導(dǎo)體襯底的晶體缺陷或生產(chǎn)工藝中不可避免的灰塵等，因此難以在規(guī)范的范圍內(nèi)制造數(shù)目龐大的所有存儲...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)無源代碼，用于學(xué)習(xí)原理，如您想要源代碼請勿下載。