技術(shù)編號：6747134
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體存儲裝置，特別是關(guān)于具備有用于補救不良存儲單元的冗余存儲單元且分割字線的分割字方式的半導(dǎo)體存儲裝置。半導(dǎo)體存儲裝置的擴散工序雖然是在潔凈環(huán)境下進(jìn)行的，但還會因為微米量級的灰塵導(dǎo)致不良存儲單元的產(chǎn)生。因此，為了對在芯片內(nèi)部產(chǎn)生的不良存儲單元進(jìn)行補救，在大多數(shù)半導(dǎo)體存儲裝置中都具備有冗余存儲單元。為了向這樣的冗余存儲單元進(jìn)行替換，當(dāng)擴散工序完成后，用測定器進(jìn)行存儲測試，會檢測出普通存儲單元陣列內(nèi)的不良單元。不良單元有位單元不良，還有沿著字線...
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