技術(shù)編號(hào)：6746448
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種可讀寫半導(dǎo)體存貯器(以下稱RAM)，還涉及一種對(duì)裝在RAM的產(chǎn)品中的RAM進(jìn)行測(cè)試的存貯器測(cè)試電路。為了測(cè)試DRAM等RAM，一般都采用存貯器測(cè)試電路。RAM的測(cè)試要考慮RAM具有的多個(gè)存貯單元所存貯的各位(這里為存貯單元)之間的相關(guān)關(guān)系和存貯電路中裝有的譯碼器的工作。因此，在RAM的測(cè)試中，按特定的順序接連不斷地輸入指定RAM具有的存貯單元的地址信號(hào)，指定各存貯單元，對(duì)各存貯單元進(jìn)行測(cè)試。指定各存貯單元的地址的順序模式(以下稱測(cè)試模式)有許...
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