技術(shù)編號(hào)：6738414
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明大體來說涉及電子存儲(chǔ)器。更特定來說，本發(fā)明涉及有效率地將數(shù)據(jù)寫入到電阻式存儲(chǔ)器，例如磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)。背景技術(shù)為了將數(shù)據(jù)寫入到任何基于電阻的存儲(chǔ)器中，直流一般流動(dòng)通過所述存儲(chǔ)器歷時(shí)一時(shí)間周期。為了節(jié)省電力，(例如關(guān)于電池供電的裝置或“綠色”裝置)應(yīng)減少電流的量及/或電流流動(dòng)的時(shí)間長(zhǎng)度。電流必須足夠強(qiáng)以改變基于電阻的存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)。施加電流的時(shí)間長(zhǎng)度控制著寫入成功的概率，較長(zhǎng)的寫入操作增加成功寫入操作的概率。 發(fā)明內(nèi)容寫入操作的...
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